SK hynix Inc. heeft aangekondigd dat het is begonnen met de serieproductie van HBM3E, het nieuwste AI-geheugenproduct met ultrahoge prestaties, voor levering aan een klant vanaf eind maart. Het bedrijf maakte zijn succes met de ontwikkeling van HBM3E slechts zeven maanden geleden bekend. HBM (High Bandwidth Memory): Een hoogwaardig geheugen met hoge prestaties dat meerdere DRAM-chips verticaal met elkaar verbindt en de gegevensverwerkingssnelheid drastisch verhoogt in vergelijking met conventionele DRAM-producten.

HBM3E, de uitgebreide versie van HBM3, is de vijfde generatie HBM na HBM, HBM2, HBM2E en HBM3. Als eerste leverancier van HBM3E, een product met de best presterende DRAM-chips, breidt SK hynix zijn eerdere succes met HBM3 uit. Het bedrijf verwacht dat een succesvolle volumeproductie van HBM3E, samen met de ervaringen die het heeft opgedaan als eerste leverancier van HBM3, zal helpen om zijn leiderschap op het gebied van AI-geheugen te verstevigen.

Om een succesvol AI-systeem te bouwen dat snel een enorme hoeveelheid gegevens verwerkt, moet een halfgeleiderpakket zo zijn samengesteld dat talloze AI-processors en geheugens met elkaar zijn verbonden. Wereldwijde grote technologiebedrijven eisen steeds hogere prestaties van AI-halfgeleiders en SK hynix verwacht dat zijn HBM3E hun optimale keuze zal zijn die aan deze groeiende verwachtingen voldoet. Het nieuwste product is het beste in de industrie voor alle aspecten die vereist zijn voor een AI-geheugen, inclusief snelheid en warmtebeheersing.

Het verwerkt tot 1,18 TB aan gegevens per seconde, wat gelijk staat aan het verwerken van meer dan 230 full-HD films (van elk 5 GB) in een seconde. Aangezien AI-geheugens op een extreem hoge snelheid werken, is het beheersen van de warmte een andere belangrijke kwalificatie die vereist is voor AI-geheugens. SK hynix's HBM3E wordt ook geleverd met een verbetering van 10% in warmteafvoer, vergeleken met de vorige generatie, na toepassing van het geavanceerde MR-MUF-proces.

MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill): Het proces waarbij halfgeleiderchips op elkaar worden gestapeld, vloeibare beschermende materialen ertussen worden gespoten om het circuit tussen de chips te beschermen, en de chips worden gehard. Het proces heeft bewezen efficiënter en effectiever te zijn voor warmteafvoer dan de methode waarbij filmachtige materialen voor elke chipstapel worden gelegd. De geavanceerde MR-MUF-technologie van SK hynix is van cruciaal belang voor een stabiele massaproductie aan de aanbodzijde van het HBM-ecosysteem, omdat de druk op de gestapelde chips kan worden verminderd, terwijl ook de controle op warpage wordt verbeterd door toepassing van dit proces.