Cambridge GaN Devices (CGD) en Neways Electronics (Neways) hebben aangekondigd dat zij op Electronica 2022 een overeenkomst zullen ondertekenen voor de ontwikkeling van fotovoltaïsche omvormerproducten met hoge efficiëntie op basis van galliumnitride technologie. Het partnerschap, dat tot stand kwam nadat de twee bedrijven elkaar ontmoetten tijdens hun samenwerking aan het door Europa gefinancierde GaNext-project, heeft al vruchten afgeworpen. Op Electronica, zowel op de stand van Neways als op de stand van CGD (hal C3, stand 535), kunnen bezoekers een demo zien van een 3kW fotovoltaïsche omvormer die door de twee bedrijven gezamenlijk is ontwikkeld.

Met acht CGD65A055S2 GaN-transistoren bereikt dit transformatorloze, ultracompacte ontwerp een vermogensdichtheid van 1kW/L. Met een Vin van 150-350VDC, een Vout van 230VAC en een schakelfrequentie van 350kHz heeft het ontwerp een maximaal rendement van 99,22%.