Everspin Technologies, Inc. levert oplossingen voor magnetoweerstands willekeurig toegankelijk geheugen (MRAM). De MRAM-oplossingen van het bedrijf bieden niet-vluchtig geheugen met de snelheid en het uithoudingsvermogen van willekeurig toegankelijk geheugen (RAM) en maken de bescherming van bedrijfskritieke gegevens mogelijk, met name in het geval van een stroomonderbreking of -storing. Het portfolio van MRAM-technologieën omvat Toggle MRAM en Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM-producten hebben standaard interfaces in de industrie, waaronder parallelle, seriële perifere interface (SPI) en Quad SPI (QSPI) interfaces. De STT-MRAM-technologie levert producten voor dynamische willekeurig toegankelijke geheugens (DRAM), SRAM en NOR Flash-toepassingen. Het biedt zijn producten aan met DDR3- en DDR4-afgeleide interfaces, waardoor het gemakkelijker wordt om batterij-gebaseerd DRAM te vervangen door STT-MRAM. De 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR)-sensoren bieden een hoge magnetische gevoeligheid in één enkel onderdeel dat 3D magnetische veldmetingen uitvoert in een monolithische oplossing.