Worksport Ltd. heeft zijn strategische zet aangekondigd om Gallium Nitride (?GaN?) halfgeleiders te integreren in zijn toekomstige productaanbod. Door te kiezen voor GAN-halfgeleiders in plaats van de meer gangbare siliciumgebaseerde chips die zelfs de AI-chipleider NVIDIA Corporation (?NVIDIA?) van brandstof voorzien, is Worksport begonnen aan een innovatieve reis om zijn technologie naar nieuwe hoogten te brengen met verschillende partnerschappen, waaronder een onlangs aangekondigd partnerschap met Infineon Technologies AG, een toonaangevende producent van GaN-halfgeleiders. Silicone is decennialang het dominante materiaal geweest voor de productie van halfgeleiders omdat het wijdverbreid beschikbaar en gemakkelijk te verwerken is.

NVIDIA bouwde haar industriële dominantie op op silicium gebaseerde halfgeleiders in haar GPU's. De bijdrage van NVIDIA aan de halfgeleider- en computerindustrie valt niet te ontkennen, maar de wereld nadert de theoretische grens van hoeveel meer op silicium gebaseerde technologie nog verbeterd kan worden. Worksport erkent dit en wil de grenzen van halfgeleiderinnovatie verleggen door GaN te integreren in toekomstige versies van zijn COR Mobile Battery Generator Systems. Deze stap is ingegeven door het potentieel van GaN om superieure prestaties, een hogere efficiëntie en een kleiner en lichter gewicht te leveren in vergelijking met conventionele oplossingen.

Vergeleken met silicium hebben vermogensschakelaars op basis van GaN lagere totale capaciteiten, vooral omdat ze geen antiparallelle lichaamsdiode hebben. GaN-schakelaars maken daarom hogere schakelsnelheden en minder vermogensverliezen mogelijk. GaN is ook bestand tegen hogere temperaturen dan silicium.

Worksport gelooft dat het gebruik van GaN-halfgeleiders de lat hoger zal leggen voor efficiëntie, thermisch beheer en prestaties. Bovendien zijn GaN-halfgeleiders apparaten met een brede bandkloof, waardoor ze bestand zijn tegen veel hogere spanningen dan apparaten die op silicium gebaseerd zijn, terwijl ze ook kleinere verpakkingen aannemen. Deze eigenschap kan resulteren in vermogensomzetters met een veel hogere vermogensdichtheid dan doorgaans wordt aangetroffen in schakelaars op siliciumbasis.

Door gebruik te maken van GaN-technologie gelooft Worksport dat zijn toekomstige producten ongeëvenaarde prestaties kunnen leveren en tegelijkertijd minder energie verbruiken, wat resulteert in een langere levensduur van de batterij dankzij energieomzetters met een hoger rendement. Dankzij de verbeterde efficiëntie van GaN-halfgeleiders stralen op GaN gebaseerde vermogensomzetters ook minder warmte uit en hebben ze lagere koelvereisten en een kleinere behoefte aan koelventilatoren, waardoor het Bedrijf gelooft dat het zijn vermogenselektronica compacter kan maken.

Bovendien gelooft Worksport dat het door het gebruik van GAN-halfgeleiders in staat zal zijn om betrouwbaardere apparaten met een langere levensduur te maken, terwijl het risico op oververhitting en prestatievermindering wordt beperkt.