STMicroelectronics heeft aangekondigd dat het een geïntegreerde productiefaciliteit voor siliciumcarbide (SiC) substraten gaat bouwen in Italië om te voldoen aan de toenemende vraag van ST's klanten naar SiC-apparaten in auto's en industriële toepassingen naarmate zij overstappen op elektrificatie en een hogere efficiëntie nastreven. De productie zal naar verwachting in 2023 van start gaan, waardoor een evenwichtige aanvoer van SiC-substraat tussen interne en commerciële aanvoer mogelijk wordt. De productiefaciliteit voor SiC-substraten, die naast de bestaande productiefaciliteit voor SiC-apparaten wordt gebouwd op de ST-vestiging in Catania (Italië), wordt de eerste in haar soort in Europa voor de volumeproductie van 150 mm epitaxiale SiC-substraten, waarbij alle stappen in de productiestroom worden geïntegreerd.

ST wil in de nabije toekomst wafers van 200 mm ontwikkelen. Dit project is een belangrijke stap in de bevordering van ST's verticale integratiestrategie voor haar SiC-activiteiten. De investering van €730 miljoen over vijf jaar wordt financieel ondersteund door de Italiaanse staat in het kader van het nationale herstel- en veerkrachtplan en zal bij volledige uitvoering ongeveer 700 directe extra banen opleveren.

ST's geavanceerde STPOWER SiC-producten in grote volumes worden momenteel geproduceerd in fabrieken in Catania en Ang Mo Kio (Singapore). Assemblage en testen vinden plaats op back-end locaties in Shenzhen (China) en Bouskoura (Marokko). De investering in deze productiefaciliteit voor SiC-substraten bouwt voort op deze expertise en is een belangrijke mijlpaal op ST's weg naar 40% interne substraatsourcing in 2024.