Het Industrial Technology Research Institute (ITRI) heeft zijn krachten gebundeld met de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) voor baanbrekend onderzoek naar de ontwikkeling van een spin-orbit-torque magnetic random-access memory (SOT-MRAM) array chip. Deze SOT-MRAM array chip laat een innovatieve computerarchitectuur zien en heeft een stroomverbruik van slechts 1% van een spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM) product. Hun gezamenlijke inspanningen hebben geresulteerd in een onderzoeksartikel over deze micro-elektronische component, dat gezamenlijk werd gepresenteerd op de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2023), waarmee het baanbrekende karakter van hun bevindingen en hun cruciale rol in het bevorderen van geheugentechnologieën van de volgende generatie werd onderstreept.

De komst van AI, 5G en AIoT heeft een aanzienlijke vraag naar snelle verwerking gecreëerd, waardoor nieuwe geheugenoplossingen nodig zijn die gekenmerkt worden door verbeterde snelheid, stabiliteit en energie-efficiëntie. De succesvolle samenwerking tussen ITRI en TSMC werpt niet alleen licht op de weg naar geheugentechnologie van de volgende generatie, maar versterkt ook het internationale concurrentievoordeel van Taiwan in de halfgeleidersector.