Renesas Electronics Corporation heeft een nieuwe gate driver IC aangekondigd die ontworpen is om hoogspanningsapparaten zoals IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistors) en SiC (Silicon Carbide) MOSFET's aan te sturen voor EV-omvormers. Gate driver IC's zijn essentiële onderdelen van EV-omvormers, die een interface vormen tussen de MCU die de omvormer bestuurt en de IGBT's en SiC MOSFET's die stroom leveren aan de omvormer. Zij ontvangen besturingssignalen van de MCU in het laagspanningsdomein en geven deze signalen door om snel vermogensapparaten aan en uit te zetten in het hoogspanningsdomein.

Om de hogere spanningen van EV-batterijen aan te kunnen, heeft de RAJ2930004AGM een ingebouwde 3,75kVrms (kV root mean square) isolator, die hoger is dan de 2,5kVrms isolator in het product van de vorige generatie, en die voedingsapparaten met een weerstandsspanning tot 1200V kan ondersteunen. Bovendien beschikt het nieuwe driver-IC over superieure CMTI-prestaties (Common Mode Transient Immunity) bij 150 V/ns (nanoseconde) of hoger, wat zorgt voor betrouwbare communicatie en een grotere ongevoeligheid voor ruis, terwijl wordt voldaan aan de hoge spanningen en snelle schakelsnelheden die vereist zijn in omvormersystemen. Het nieuwe product biedt de basisfuncties van een gate driver in een klein SOIC16-pakket, waardoor het ideaal is voor kosteneffectieve invertersystemen. De RAJ2930004AGM kan worden gebruikt in combinatie met Renesas IGBT's en met IGBT's en SiC MOSFET's van andere fabrikanten. Naast tractieomvormers is de gate driver IC ideaal voor een groot aantal toepassingen waarin vermogenshalfgeleiders worden gebruikt, zoals boordladers en DC/DC-omvormers.

Om ontwikkelaars te helpen hun producten snel op de markt te brengen, biedt Renesas de xEV Inverter Kit-oplossing die gate driver IC's combineert met MCU's, IGBT's en power management IC's, en is van plan om in de eerste helft van 2023 een versie uit te brengen waarin de nieuwe gate driver IC is opgenomen. Belangrijkste kenmerken van het RAJ2930004AGM Gate Driver IC: Isolatiemogelijkheden: Bestand tegen isolatiespanning: 3,75kVrms; CMTI (Common Mode Transient Immunity): 150V/ns; Gate drive mogelijkheden: Uitgangspiekstroom: 10A; Bescherming/foutopsporingsfuncties; On-chip actieve Miller-klem; Zachte uitschakeling; Overstroombeveiliging (DESAT-bescherming); Onderspanningsvergrendeling (UVLO); Foutterugkoppeling; en Bedrijfstemperatuurbereik: -40 tot 125°C (Tj:150°C max.). Dit product zal helpen de toepassing van EV's te vergroten door kostenefficiënte omvormers te realiseren, waarbij de gevolgen voor het milieu tot een minimum worden beperkt.

Beschikbaarheid: Het RAJ2930004AGM gate driver IC is beschikbaar in monsterhoeveelheden met massaproductie gepland voor het eerste kwartaal van 2024.