AIXTRON SE heeft zijn nieuwe G10-SiC 200 mm-systeem gelanceerd voor de massaproductie van de nieuwste generatie siliciumcarbide ("SiC") power devices op 150/200 mm SiC-wafers. Dit CVD-systeem voor hoge temperaturen, dat innovatie naar een hoger niveau tilt, werd onlangs aangekondigd op de Internationale Conferentie over Siliciumcarbide en aanverwante materialen (ICSCRM), die momenteel plaatsvindt in Davos, Zwitserland. Het wide-band-gap materiaal SiC is klaar om de mainstream-technologie voor efficiënte vermogenselektronica te worden.

SiC draagt aanzienlijk bij tot het koolstofvrij maken van de moderne samenleving en ondersteunt derhalve de klimaatbescherming. Gedreven door de toenemende toepassing van op SiC gebaseerde vermogenshalfgeleiders in elektromobiliteitsoplossingen, neemt de wereldwijde vraag naar SiC-wafers snel toe, nog versneld door de motivatie om de afhankelijkheid van de olievoorziening te verminderen. Het nieuwe G10-SiC-systeem is gebouwd op het gevestigde G5 WW C 150 mm-platform en biedt een flexibele configuratie met twee waferformaten van 9x150 & 6x200 mm.

Deze functie is essentieel voor de overgang van de SiC-industrie van 150 mm (6 inch) naar 200 mm (8 inch) waferdiameter. Het nieuwe platform is opgebouwd rond een beproefde geautomatiseerde oplossing voor het laden van wafercassettes met wafertransfer bij hoge temperatuur. In combinatie met procesmogelijkheden met hoge groeisnelheid biedt de G10-SiC de beste waferdoorvoer en doorvoer per vierkante meter in zijn klasse, zodat de beperkte cleanroomruimte in halfgeleiderfabrieken efficiënt kan worden gebruikt.

De AIXTRON G10-SiC ondersteunt een grote verscheidenheid aan apparaatstructuren, waaronder structuren met één of twee driftlagen, die voldoen aan de strenge uniformiteitseisen van 150 mm met sigmawaarden van minder dan 2% voor doping en dikte. Het automatisch laden van de wafer beperkt het risico van deeltjesdefecten tot een minimum, wat resulteert in typische defecttellingen van < 0,02/cm2.

Epitaxiale laaguniformiteit is essentieel voor een hoge opbrengst op apparaatniveau. De hoge verwerkingscapaciteit van het systeem in combinatie met lage verbruikskosten per verwerkte wafer resulteert in de laagste kosten per wafer in de industrie.