ETF's AXT, Inc.

AXT, Inc. is een materiaalwetenschappelijk bedrijf dat hoogwaardige samengestelde en enkelvoudige halfgeleidersubstraten ontwikkelt en produceert, bestaande uit indiumfosfide (InP), galliumarsenide (GaAs) en germanium (Ge). De wafersubstraten worden gebruikt wanneer een typisch silicium wafersubstraat niet kan voldoen aan de prestatievereisten van een halfgeleider of opto-elektronisch apparaat. Het bedrijf heeft twee productlijnen: substraten voor speciale materialen en grondstoffen voor deze substraten. InP is een halfgeleiderwafersubstraat dat gebruikt wordt in breedband- en glasvezeltoepassingen, 5G-infrastructuur en datacenterconnectiviteit. Zijn halfgeleidende GaAs-substraten worden gebruikt om opto-elektronische producten te maken, waaronder lichtemitterende diodes met hoge helderheid die vaak worden gebruikt voor achtergrondverlichting van draadloze telefoons en lcd-televisies en voor toepassingen in de auto-industrie, bewegwijzering en verlichting. Haar Ge-substraten worden gebruikt in toepassingen zoals zonnecellen voor fotovoltaïsche toepassingen in de ruimte en op aarde.