Soitec heeft een nieuwe fabricagefaciliteit aangekondigd in haar hoofdkwartier in Bernin, Frankrijk, in de eerste plaats om nieuwe siliciumcarbide wafers te fabriceren die beantwoorden aan de belangrijkste uitdagingen van de markten voor elektrische voertuigen en de industrie. De uitbreiding zal ook Soitec’s 300-mm Silicon-on-Insulator (SOI) activiteiten ondersteunen. De fabriek zal innovatieve SmartSiC™-ontwikkelde wafers produceren die door Soitec ontwikkeld zijn in het Substrate Innovation Center in CEA-Leti in Grenoble, met gebruikmaking van Soitec’s eigen SmartCut™-technologie. De elektronische chips die op dit soort wafers gebouwd zijn, bieden een overtuigende prestatie- en energie-efficiëntiewinst voor stroomvoorzieningssystemen. De nieuwe generatie siliciumcarbide wafers voegt een aanzienlijke waarde toe voor industriële toepassingen en elektrische voertuigen. Zij maken het mogelijk hun rijbereik te vergroten, de oplaadtijd te verkorten en hun kosten te verminderen. Met zijn SmartSiC™ producten is Soitec bezig met grote fabrikanten van siliciumcarbide-apparaten en streeft ernaar in de tweede helft van het kalenderjaar 2023 de eerste inkomsten te genereren.