Japan Display Inc. en Idemitsu Kosan Co. Ltd. hebben met succes samen een innovatieve polykristallijne oxide halfgeleider, Poly-OS, ontwikkeld voor gebruik in een grote verscheidenheid van displays, waaronder draagbare toestellen, smartphones, metaverse toestellen zoals VR, Notebook PC's, en TV's met grote schermen. Door de integratie van Idemitsu Kosan's nieuw ontwikkelde polykristallijne oxide halfgeleidermateriaal en JDI's eigen backplane2 technologie, draagt de nieuwe Poly-OS halfgeleider aanzienlijk bij aan de verbetering van de displayprestaties door zowel een hoge mobiliteit als een lage off-leak stroom3 te bereiken op Gen 6 massaproductielijnen.

Poly-OS kan ook worden ingezet op grote Gen 8-lijnen en hoger, waardoor de productiekosten van displays aanzienlijk dalen. Zowel JDI als Idemitsu Kosan zijn vastbesloten om deze innovatieve technologie wereldwijd actief te promoten. Idemitsu Kosan is in 2006 begonnen met de ontwikkeling van een polykristallijn oxidehalfgeleidermateriaal IGO (Indium Gallium Oxide) voor platte beeldschermen, als onderdeel van zijn activiteiten op het gebied van elektronische materialen.

IGO heeft een hoge beweeglijkheid, gelijkwaardig aan polysilicium (LTPS)4 bij lage temperatuur, die niet kon worden bereikt met bestaande oxide halfgeleiders, samen met stabiele dunne-film transistor (TFT)5 eigenschappen die kunnen worden toegepast op Gen 8 en grotere substraatlijnen. Zowel JDI als Idemitsu Kosan steunen de voortdurende ontwikkeling van de Poly-OS technologie, zodat deze op grote schaal kan worden toegepast in diverse toepassingen in de wereldwijde display-industrie. JDI en Idemitsu Kosan willen bijdragen tot een koolstofarme samenleving door middel van betere displayprestaties, de evolutie van de wereldwijde display-industrie en een lager stroomverbruik van displays.